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論文

オージェ電子スペクトロメトリ

馬場 祐治

Radioisotopes, 47(3), p.240 - 247, 1998/03

https://doi.org/10.3769/radioisotopes.47.240

オージェ過程に関する基礎的事項を説明した上で、放射光を励起源とするオージェ電子分光法の最近の進歩について開発した。主な話題は、共鳴オージェ過程、オージェ共鳴ラマン散乱、オージェカスケード等である。また第3世代の放射光リングを用いたオージェ電子分光法に関する興味ある研究課題についても言及した。

論文

Element-specific desorption from molecular adsorbates by core-to-valence resonant photoexcitation

馬場 祐治; 吉井 賢資; 山本 博之; 佐々木 貞吉; W.Wurth*

Surface Science, 377-379(1-3), p.699 - 704, 1997/00

吸着分子に放射光軟X線を照射し、内殻電子励起による脱離過程を調べた。多層吸着したPCl$$_{3}$$分子のP1s電子を$$alpha$$$$^{ast}$$軌道へ共鳴励起すると、主にP$$^{+}$$イオンが脱離するのに対し、Cl1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$共鳴励起ではCl$$^{+}$$イオンのみが脱離した。同様な元素選択的脱離は、S$$_{2}$$Cl$$_{2}$$吸着分子のS1s、Cl1s励起においても認められた。電子分光測定によれば、脱離が起こる共鳴励起エネルギーでは、ほとんどがスペクテータ型のオージェ遷移を起こすことから、高い元素選択的脱離が起こるのは、反結合性$$alpha$$$$^{ast}$$軌道に励起された電子(スペクテータ電子)の存在により励起される速い結合解裂のためであると結論した。

論文

固相におけるスペクテータ・オージェ遷移

佐々木 貞吉

放射光, 9(3), p.233 - 243, 1996/06

http://ci.nii.ac.jp/naid/10001910237

絶縁体の深い内殻軌道を共鳴励起すると、スペクテータ・オージェ遷移によりオージェスペクトル強度が大巾に増加する。最近発見した上記現象は、新しいタイプのオージェ共鳴ラマン散乱で、非独占軌道についての詳細な情報を含んでいる。下記の項目に分けてこれまでの成果を紹介する。(1)深い内殻の共鳴励起 (2)無機化合物におけるスペクテータ・オージェ遷移 (3)オージェ電子はなぜエネルギー分散を起こすか? (4)固相有機分子におけるオージェ共鳴ラマン散乱 (5)吸着分子の元素選択的脱離

論文

Spectator Auger transitions of the 1s hole states in ionic sulfur compounds and molecular chlorine compounds

佐々木 貞吉; 馬場 祐治; 吉井 賢資; 山本 博之

Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 76, p.411 - 416, 1995/00

https://doi.org/10.1016/0368-2048(95)02410-7
 被引用回数：10 パーセンタイル：50.94(Spectroscopy)

MoS$$_{2}$$、Li$$_{2}$$SO$$_{4}$$、Na$$_{2}$$S$$_{2}$$O$$_{3}$$のS1s$$rightarrow$$3p$$^{ast}$$、及びSi(CH$$_{3}$$)$$_{3}$$Cl、SiCl$$_{4}$$(いずれも固相)のCl1s$$rightarrow$$3p$$^{ast}$$の共鳴励起に伴うスペクテータ・オージェ崩壊を調べた。1s正孔の崩壊分岐率については、KL$$_{2,3}$$L$$_{2,3}$$、KL$$_{1}$$L$$_{2,3}$$スペクテータ・オージェ遷移が全体の97%以上を占めることがわかった。また、これらのオージェピークは、誘電体においてピーク分裂を起こすとともに、励起光エネルギー(h$$nu$$)に正比例して4.5-10eV高エネルギー側へシフトした。実験結果はオージェ共鳴ラマン散乱と解釈され、誘電体では非占軌道が連続帯に深く浸入していることを示唆する。

論文

Photon-stimulated ion desorption from condensed SiCl$$_{4}$$ by resonant excitation at the K-edges

馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉

Surface Science, 341, p.190 - 195, 1995/00

https://doi.org/10.1016/0039-6028(95)00690-7
 被引用回数：14 パーセンタイル：64.6(Chemistry, Physical)

SiCl$$_{4}$$凝縮層に、Si-及びCl-K吸収端付近のエネルギーをもつ放射光を照射した時のイオンの脱離挙動を調べた。Si1s励起ではSi$$^{+}$$、Cl$$^{+}$$、SiCl$$^{+}$$、SiCl$$_{3+}$$がほぼ同程度の強度で脱離したが、Cl1s励起では、脱離イオンの80%以上がCl$$^{+}$$であり、内殻励起による脱離に元素選択性があることを見出した。Cl1s励起におけるCl$$^{+}$$イオンは主としてCl1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$(8a$$_{1}$$)共鳴励起により脱離し、Cl1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$(9t$$_{2}$$)共鳴励起や、より高い照射エネルギーではほとんど脱離しない。これは8a$$_{1}$$軌道の構成成分として反結合性Cl3P$$^{ast}$$軌道が多いため、1s軌道から共鳴励起された電子(スペクテーター電子)の存在により、Si-Cl結合が弱められるためであると結論した。

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